瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產
時間：2024-07-26 來源：本站
近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡稱“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺開發的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品（IV3Q12013T4Z）通過了車規級可靠性(AEC-Q101)測試認證；同時，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產，后續將依托浙江義烏的車規級碳化硅(SiC)晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產品。瞻芯電子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET，現有3款產品：IV3Q12013T4Z，IV3Q12013BA，IV3Q12013BD，主要用于車載電驅動系統，憑借出色的性能表現，已獲得多家車載電驅動客戶的項目定點。
瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET特性
第三代1200V SiC MOSFET仍為平面柵型MOSFET，相比第二代工藝，元胞的Pitch縮小了超過20%。
同時在核心指標上，第三代產品在保證器件的耐壓和短路能力的前提下，將比導通電阻Rsp降低至2.5mΩ*cm2，達到國際第一梯隊的水平。同時，第三代產品的開關損耗，對比第二代產品進一步降低30%以上。
而且，第三代產品的導通電阻Rds(on)的溫度系數明顯降低，在高溫運行情況下，導通電阻增加較少。如下圖所示，當Vgs=15V應用時，175°C時的Rds(on)對比25°C時的Rds(on)只有1.42倍；當Vgs=18V應用時，175°C時的Rds(on)對比25°C時的Rds(on)只有1.65倍。
在可靠性方面，首款產品IV3Q12013T4Z不僅按照AEC-Q101標準完成了三批次可靠性認證，獲得車規級可靠性認證證書，而且通過了更嚴格的Beyond-AECQ可靠性考核，包括動態可靠性（D-HTRB，D-H3TRB，AC-BTI)，柵極負偏壓下的HTRB等。通過上述Beyond-AECQ和極限性能測試，充分驗證了第三代工藝平臺及產品在多種邊界工況下的穩定性和魯棒性，為迎接市場考驗做好了充足的準備。
